고온고압장비


진공 열처리 장비


| ALD: Atomic Layer Deposition system

 DESCRIPTION

  • 분자의 자기 제한 표면 반응(self-limiting) 기반의 박막을 원자 단위로 증착하는 방법
  • 매우 얇은 원자 단위 두께 층을 실리콘 웨이퍼 등의 평평한 물질에 소자 손상 없이 균일하게 증착 가능

 FEATURES

  • CVD 대비 100% 표면 반응
  • 박막 Thickness 제어 능력이 우수
  • CVD 대비 우수한 막질 형성

 APPLICATIONS

  • 전자 부품의 Passivation layers
  • 유기 물질의 Diffusion barriers
  • 태양광의 Passivation
  • Adhesion layers
  • 3차원 구조의 뛰어난 conformal coating
  • High k 물질
  • Optical coatings
  • Diffusion layers
  • Anti-corrosion layers
  • nanotechnology의 Functional layers

 SPECIFICATIONS

Model No.
ALD-200
ALD-500
Description
Wafer sizexQ’ty : 4 inchx10Sht.
Wafer sizexQ’ty : 4 inchx15Sht.
Plasma Source.

RF = 1,000 W : 1 ea

RF frequency : 13.56 MHz

* Option Item

RF = 1,500 W : 1 ea

RF frequency : 13.56 MHz

* Option Item

Source Diameter
Φ 150 mm, Multi Stage
200 mm, Multi Stage
Source hight
122.0 mm
122.0 mm
Degree of Angle
O Degree, Planar type
Degree, Planar type
Type

Vertical & Upper Door open /

close by pneumatic cylinder

Vertical & Upper Door open /

close by pneumatic cylinder

Chamber size
Φ 200 x 95H in mm.
Φ 200 x 170H in mm.
Outer Case size
1325L x 600W x 1298H
1800L x 900W x 2033H
Construction Materials
SUS 304
SUS 304
Vacuum rate
5 x 10E6 Torr.
5 x 10E6 Torr.
Substrate Temp.
300 ~ 5000℃
300 ~ 500℃
Substrate Rotation
N / A(Not Applicable)
N / A(Not Applicable)
Z axis Adjust
N / A(Not Applicable)
N / A(Not Applicable)
Argon gas feed
200 SCCM
300 SCCM
Precursor Quantity
4 ea with Heating Mantle
4 ea with Heating Mantle
Carrier
Nitrogen, Oxygen, Hydrogen
Nitrogen, Oxygen, Hydrogen
Power Rating

220 / 380 VAC, 3 Phase,

60 Hz, 45 kW

220 / 380 VAC, 3 Phase,

60 Hz, 55 kW


| PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition System

 DESCRIPTION

  • 화학적 기상 증착 기술의 유형으로 플라즈마를 사용하여 기체 상태의 물질을 기판 표면에 증착
  • 플라즈마는 높은 에너지를 가지며, 이를 통해 기체 분자가 분해되어 기판 표면에 빠르게 증착

 FEATURES

  • 빠른 증착 속도를 제공하여 생산 효율성 향상
  • 플라즈마를 사용하여 낮은 온도에서도 높은 품질 증착
  • 기판 전체에 걸쳐 균일한 두께와 일관된 품질 형성
  • 금속 산화물 등 다양한 재료 증착 가능

 APPLICATIONS

  • 디스플레이 공정 : 패널 제조에서 절연층과 보호막을 형성
  • 반도체 공정 : 절연막, 패시베이션 층 등 다양한 필름을 저온에서 증착

 SPECIFICATIONS

Model No.
PECVD-014-8
PECVD-018-10
Description
Substrate size : 8 inch
Target size : 10 inch
Sputter Source.

RF = 1,000 W : 1 ea

RF frequency : 13.56 MHz

RF = 1,500 W : 1 ea

RF frequency : 13.56 MHz

Source Diameter
Φ 250 mm, Multi Stage
Φ 300 mm, Multi Stage
Source hight
122.0 mm
122.0 mm
Degree of Angle
O Degree, Planar type
0 Degree, Planar type
Type

Vertical & Upper Door open /

close by pneumatic cylinder

Vertical & Upper Door open /

close by pneumatic cylinder

Chamber size
Φ 14 inch
Φ 18 inch
Construction Materials
SUS 304
SUS 304
Vacuum rate
5 x 10E6 Torr.
5 x 10E6 Torr.
Substrate Temp.
300 ~ 8000℃
300 ~ 800℃
Substrate Rotation
10 ~ 40 mm
0 ~ 20 rpm
Z axis Adjust
200 SCCM
10 ~ 50 mm
Argon gas feed
200 SCCM
300 SCCM
Power Rating

220/380 VAC, 3 Phase,

60 Hz, 45 kW

220/380 VAC, 3 Phase,

60 Hz, 55 kW


| RF/DC Magnetron Sputtering System

 DESCRIPTION

  • 에너지를 가진 입자가 고체 표면에 충격을 주어 운동량을 전달하여 고체 표면으로부터 Target 원자들이 튀어나와 증착
  • DC는 금속 및 합금 등의 전도성 Target , RF는 Insulator 증착.
  • RF는 DC에 비해 높은 전압을 사용하여 기판에 열이 발생할 수 있음. 또한 DC에 비해 증착 속도가 느림.
  • Magnetron Sputtering은 전자들이 추가적인 움직임을 자질 수 있도록 해주어 증착 속도를 증가시키기 위한 방식.

 FEATURES

  • 빠른 증착 속도를 제공하여 생산 효율성 향상
  • 기판 전체에 걸쳐 균일한 두께와 일관된 품질 형성

 APPLICATIONS

  • 필름 증착
  • 반도체 Etching

 SPECIFICATIONS

· Common Type

Model No.
RF/DC – C – 018 - 2
RF/DC – C – 020 - 4
Description
Target size : 2 inch
Target size : 4 inch
Sputter Source.

DC = 1,200 W : 1 ea

RF = 800 W : 2 ea

RF frequency : 13.56 MHz

DC = 1,500 W : 1 ea

RF = 1,000 W : 2 ea

RF frequency : 13.56 MHz

Source Diameter
Φ 88.9 mm
Φ 140.3 mm
Source hight
122.0 mm
122.0 mm
Degree of Angle
120 Degree Dividing
120 Degree Dividing
Magnet

Nd-Fe

Nd-Fe

Type

Vertical & Upper Door open /

close by pneumatic cylinder

Vertical & Upper Door open /

close by pneumatic cylinder

Chamber size
Φ 18 inch
Φ 20 inch
Construction Materials
SUS 304
SUS 304
Vacuum rate
5 x 10E6 Torr.
5 x 10E6 Torr.
Substrate Temp.
300 ~ 1,000℃
300 ~ 1,000℃
Substrate Rotation
0 ~ 20 rpm
0 ~ 20 rpm
Z axis Adjust
10 ~ 40 mm
10 ~ 50 mm
Argon gas feed
100 SCCM
150 SCCM
Power Rating

220 / 380 VAC, 3 Phase,

60 Hz, 45 kW

220 / 380 VAC, 3 Phase,

60 Hz, 55 kW

· Planar Type

Model No.
RF / DC-P-012RF / DC-P-014RF / DC-P-016RF / DC-P-016
Description
Target Dia. 1“Target Dia. 2“Target Dia. 3“Target Dia. 4“
Max. Thick.

3.2 mm

6.3 mm

9.5 mm9.5 mm
Max. power

DC = 150 W

RF = 150 W

DC = 700 W

RF = 500 W

DC = 1,200 W

RF = 800 W

DC = 1,500 W

RF = 1,000 W

Argon gas Supply
50 SCCM
75 SCCM
100 SCCM
150 SCCM
Cooling W’tr
O.5 L/m
1.7 L/m
2.3 L/m
3 L/m
Surce Dia.

45.7 mm

88.9 mm

117.6 mm
143.0 mm
Source Hight

38.1 mm

122.0 mm

122.0 mm
122.0 mm
Chamber size
Φ12 inch
Φ14 inch
Φ16 inch
Φ16 inch
Construction Materials
SUS 304
SUS 304
SUS 304
SUS 304
Type

Vertical,

Upper door

Pneumatic Cylinder

ope / close

Vertical,

Upper door

Pneumatic Cylinder

ope / close

Vertical,

Upper door

Pneumatic Cylinder

ope / close

Vertical,

Upper door

Pneumatic Cylinder

ope / close

Vacuum rate
5 x 10E6 Torr.
5 x 10E6 Torr.
5 x 10E6 Torr.
5 x 10E6 Torr.
Substrate Temperature

200 ~ 1,000 ℃

200 ~ 1,000 ℃

200 ~ 1,000℃

200 ~ 1,000℃

Substrate Rotation
0 ~ 20 rpm
0 ~ 20 rpm
0 ~ 20 rpm

0 ~ 20 rpm
Z axis adjust
10 ~ 30 mm
10 ~ 40 mm
10 ~ 50 mm
10 ~ 50 mm
Power rating

220 / 380 VAC,

3 P, 60 Hz,

25 kW

220 / 380 VAC,

3 P, 60 Hz,

30 kW 

220 / 380 VAC,

3 P, 60 Hz,

35 kW

220 / 380 VAC,

3 P, 60 Hz,

40 kW


| Electron-beam Evaporation System

 DESCRIPTION

  • E-beam Evaporation는 물리적 기상 증착 기술의 유형
  • 고에너지 Electron-stream에 의한 충돌을 통해 증발 물질을 고온으로 가열하여 내화 금속 및 금속 산화물을 포함하여 증발 온도가 매우 높은 재료의 증착에 쓰이는 기술
  • 텅스텐 등의 높은 용융 온도를 가진 금속 재료 증착 가능

 FEATURES

  • 증착 속도 및 필름 두께 정밀 제어
  • 다양한 금속재료 및 고융점 재료 유용
  • 고순도, 고품질 유지
  • 스퍼터링 방식에 비해 기판 손상 최소

 APPLICATIONS

  • Semiconductor / Display Industry
  • Optics
  • Electronics
  • Consumer packaging
  • Jewellery and accessories

 SPECIFICATIONS

Model No.
EBE-016-211
EBE-016-224
EBE-016-264
EBE-016-274
Description
Single Pocket
4cc x 4 Pocket
7cc x 4 Pocket
15cc x 4 Pocket
Chamber size
16 inch
16 inch
16 inch
16 inch
Construction Materials
SUS304
SUS304
SUS304
SUS304
Type

Vertical & Front Door

Vertical & Front Door

Vertical & Front Door

Vertical & Front Door

Vacuum rate
5x10E6 Torr.
5x10E6 Torr.
5x10E6 Torr.
5x10E6 Torr.
Substrate Temperature

300~1000℃

300~1000℃

300~1000℃

300~1000℃

Crucible Size
15CC
4CC
4CC
4CC
Substrate Rotation
0~20rpm
0~20rpm
0~20rpm
0~20rpm
E-beam Power
6kW @ -6 ~ 10kV
4kW @ -5 ~ -7kV
10kW @ -6 ~ -10kV
10kW @ -6 ~ -10kV
Power Ration

220 / 380V AC, 3Phase, 60Hz 30kW

220 / 380V AC, 3Phase, 60Hz 30kW

220 / 380V AC, 3Phase, 60Hz 40kW

220 / 380V AC, 3Phase, 60Hz 40kW

엔에이티엠  Tel. 041.415.0402  Mail. ihkim@ntatm.com


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